资料下载
×
LVDT传感器分析计算
消耗积分:10 |
格式:rar |
大小:333 |
2009-10-24
英雄孤寂
分享资料个
1．模型简介:下图是LVDT模型（RS）:
模型中，中间的线圈为原边线圈，旁边的六个线圈为副边线圈（感应线圈）。
这几个线圈连接的拓扑图如下：根据模型的拓扑图可以看出，当磁芯位于中间对称位置的时候，副边线圈的输出总电压为0。当磁芯运动并偏离对称位置时，由于磁通量密度分布不再对称，因此副边线圈的总电压将会变为非0值，并且磁芯位置偏离越大，副边线圈的感应电压就越大，从而在负载上产生更大的电流。其中，电流强度的大小与磁芯的位移量成正比。LVDT就是用这种方法把机械位移转变为电流信号的。
模型中，中间的线圈为原边线圈，旁边的六个线圈为副边线圈（感应线圈）。
这几个线圈连接的拓扑图如下：根据模型的拓扑图可以看出，当磁芯位于中间对称位置的时候，副边线圈的输出总电压为0。当磁芯运动并偏离对称位置时，由于磁通量密度分布不再对称，因此副边线圈的总电压将会变为非0值，并且磁芯位置偏离越大，副边线圈的感应电压就越大，从而在负载上产生更大的电流。其中，电流强度的大小与磁芯的位移量成正比。LVDT就是用这种方法把机械位移转变为电流信号的。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
