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MOSFET、IGBT和MCT栅极驱动电路高性能的实际考虑
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简介
开关电源行业的趋势朝着更高的转换频率以获得更高的功率密度急剧提高为。当这些频率推向超越一兆赫，MOSFET的过渡时期可以成为总开关周期的一个重要部分。与开关电压和电流重叠有关的损耗不仅降低了整体供电效率，而且需要从热和封装的角度考虑。一个简短的，每个MOSFET开关转换可以进一步降低，如果驱动从高速，高电流图腾柱驱动器-一个专为这个应用程序设计的。本文将重点介绍三个这样的装置；该uc1708和uc1710高电流MOSFET驱动电路，和uc1711高速驱动器。其他的MOSFET驱动芯片及典型应用电路的特色在Unitrode应用笔记u-118。
有效栅电容
MOSFET的输入电容（CISS）是经常被误用的功率MOSFET的栅极驱动IC为代表的负荷。在现实中，一个MOSFET的有效输入电容（Ceff）是非常高的，必须由制造商公布的总栅极电荷（Qg）信息。即使在指定的开关过渡过程中，门电荷参数的最大值也不能准确反映驾驶员的瞬时负荷。幸运的是，制造商提供一个FET的栅源电压（VGS）曲线与总栅极电荷在其数据表。这将被划分为四个交换转换的时间间隔。每一个都将被分析以确定最佳的栅极电容和驱动性能要求。
栅极驱动不足通常是相应调整栅极电荷数的结果。无论是开启和关闭的转换显示各自的漏电流和漏源电压。
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