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耐200℃高温碳化硅MOSFET驱动电路
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2018-04-20
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提出一种耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路。该驱动电路采用双极性结型晶体管（ BJT）作为开关器件，避免了高温下硅基MOSFET关断能力弱化而引起的驱动电路失效。该驱动电路利用充电与放电两条支路将OV/5V源驱动信号调整为-5V/18V的栅极驱动电平。每条支路都采用自举电容加速BJT的开通过程，从而加快驱动电流的建立。建立该驱动电路的等效模型，通过该模型得到计算驱动电路中四个主要无源器件的等式以及主要无源器件与BJT电流放大系数之间的关系，并以此确定温度补偿策略。在85V/14.5A的负载条件，不同温度对驱动电路进行双脉冲测试，可知MOSFET的开通暂态时间随温度升高由13 3.6ns缩短为112.4ns，而关断暂态时间由99.2ns增加到109.8ns。温度对其影响主要体现在随温度升高，碳化硅MOSFET的跨导增大，米勒平台降低，进而影响开关过程的时间。
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