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基于SRAM芯片立体封装大容量的应用解析
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2017-11-16
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静态随机存储器（static RAM），简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM（静态随机访问存储器）、FLASH（闪速存储器）、DRAM（动态存储器）等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。
1、VDMS16M32芯片介绍
VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模块芯片，由4个256K x 16bit的SRAM芯片堆叠而成。整个模块采用立体封装堆叠技术，它们之间的互相连接线非常短，寄生电容小。
1.1 芯片的内部功能结构和外部引脚
图1是立体封装的大容量芯片VDSR16M32中每一片SRAM的内部结构和功能框图，由MEMORY存储矩形阵列，列译码器、行译码器、数据控制和控制逻辑等部分组成。
图1 VDSR16M32中SRAM的内部功能结构框图
图2是立体封装的大容量存储芯片VDSR16M32的内部结构和功能框图，图3是VDSR16M32的外部引脚分布图，其中A【0:17】是地址输入信号引脚，#CS0、#CS1是芯片里面BLOCK1和BLOCK2的选择引脚，#OE是芯片的输出启用引脚，#WE是芯片的写入启用引脚，#LB是低16位的选择信号，#UB是高16的选择信号，I/O【0:31】是芯片的数据线，其中数据线D【0:15】为BLOCK1的数据输入输出引脚，数据线D【16:31】为BLOCK2的数据输入输出引脚，VCC为电源引脚，VSS为接地引脚。
图2 立体封装的大容量芯片VDSR16M32的功能结构框图
1、VDMS16M32芯片介绍
VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模块芯片，由4个256K x 16bit的SRAM芯片堆叠而成。整个模块采用立体封装堆叠技术，它们之间的互相连接线非常短，寄生电容小。
1.1 芯片的内部功能结构和外部引脚
图1是立体封装的大容量芯片VDSR16M32中每一片SRAM的内部结构和功能框图，由MEMORY存储矩形阵列，列译码器、行译码器、数据控制和控制逻辑等部分组成。
图1 VDSR16M32中SRAM的内部功能结构框图
图2是立体封装的大容量存储芯片VDSR16M32的内部结构和功能框图，图3是VDSR16M32的外部引脚分布图，其中A【0:17】是地址输入信号引脚，#CS0、#CS1是芯片里面BLOCK1和BLOCK2的选择引脚，#OE是芯片的输出启用引脚，#WE是芯片的写入启用引脚，#LB是低16位的选择信号，#UB是高16的选择信号，I/O【0:31】是芯片的数据线，其中数据线D【0:15】为BLOCK1的数据输入输出引脚，数据线D【16:31】为BLOCK2的数据输入输出引脚，VCC为电源引脚，VSS为接地引脚。
图2 立体封装的大容量芯片VDSR16M32的功能结构框图
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