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为什么高UVLO对于IGBT和SiC MOSFET电源开关的安全工作非常重要

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:105.6KB | 2024-10-14

廉鼎琮

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碳化硅(SiC) MOSFET和硅IGBT开关功率器件主要用于高功率应用，因为它们具有较高的额定阻断电压(> 650 V)和电流处理能力。当功率器件被有效驱动时，开关损耗和传导损耗都被最小化。欠压锁定输出(UVLO)在栅极驱动器中实现，以监控栅极电压，防止其降至低于特定阈值。UVLO额定值是使用SiC MOSFETs或IGBTsversus Si MOSFETs的电动汽车牵引逆变器、太阳能逆变器和车载充电器等高功率应用的重要考虑因素。这些器件具有不同的电压驱动要求，因此UVLO阈值也必须不同。本应用笔记讨论为什么UVLO对于安全高效的电源开关操作至关重要。它还说明了为什么Si MOSFETs与sic MOSFET和IGBTs需要不同的also电平，以及栅极驱动器架构如何影响这一设置。
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