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MOSFET参数解读

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.59 MB | 2024-12-30

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MOSFET数据手册包含重要的技术信息，有助于电源系统设计人员针对特定应用选择合适的MOSFET。本应用笔记解释数据表PowerTrench MOSFETs中规定的电气参数和图表。屏蔽gatePowerTrench是飞兆半导体先进的trench MOSFETs设计技术，支持最高300 V的MOSFET，在本应用笔记中，100 V N沟道DMS86101A数据手册用于解释。

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