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PUSB3FC4极低电容单向ESD保护二极管阵列规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:267.68KB | 2025-02-13

陈韵瑄

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极低电容单向静电放电 （ESD） 保护二极管阵列，部分 TrEOS保护系列。该器件采用 DFN2510-10 （SOT1165-3） 无引脚 ultra 封装 小型表面贴装器件 （SMD） 塑料封装，设计用于保护四条信号线免受 ESD和其他瞬变造成的损坏。 2. 特点和优势 • 四条信号线的单向ESD保护 • VRWM = 3.3 V 器件 • 极低的箝位电压可保护敏感的 I/O • • 极低的二极管电容 Cd = 0.29 pF（典型值，1.5 V） • ESD 保护高达 ±15 kV，符合 IEC 61000-4-2 标准 • IEC 61000-4-5（浪涌）：IPP = 7.9 A 峰值脉冲（测量平均值） 无引脚超小型 DFN2510-10 （SOT1165-3） 表面贴装封装
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