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LTCC基板密集孔区域研究
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2018-04-13
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LTCC基板可以提高布线密度和信号传输速度；基板的热膨胀系数可以做到和硅器件接近，对安装裸片硅器件非常有利；可以内埋无源元件，形成立体高密度组件。
20世纪80年代以来，日、美等国在这一领域做了大量工作，己开发出适用于VLSI、ULSI芯片组装要求的LTCC基板，在航天、通信、计算机和军事等领域得到了广泛应用。如美国海军水面作战中心研制的水下数字处理装置、美国Martin Marietta公司生产的用于目标搜索和识别的图像处理电子装置SEM-E、西屋公司制造的有源相控阵雷达的T/R组件、TRW公司研制的模拟视频信号一数字信号转换器等都采用了LTCC基板。
目前国内关于LTCC产品的研制尚处于初期发展阶段，相关设计和工艺技术都不成熟。国内有几家研究所已经或正在引进LTCC设备，开发LTCC功能模块，但由于LTCC产品的开发与生产，必须依靠材料、设计、设备等多方面的支持，而且LTCC产品的一致性和精度完全依赖于所用材料的稳定性和工艺，故工艺技术及优化尤为重要。本文基于有限元分析方法对LTCC基板密集孔区域进行研究，为LTCC基板的有限元仿真及优化提供依据。
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