资料下载
基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行闪存
分享资料个
特性
• 单电压读写操作
– 2.7-3.6V
• 串行接口架构
– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3
• 高速时钟频率
– 高达 80 MHz
• 超高可靠性
– 可擦写次数：100，000 次 – 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗：
– 读操作工作电流：10 mA （典型值）
– 待机电流：5 µA （典型值）
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
– 均一 32 KB 覆盖块
– 均一 64 KB 覆盖块
• 快速擦除和字节编程：
– 全片擦除时间：35 ms （典型值） – 扇区 / 块擦除时间：18 ms （典型值） – 字节编程时间：7 µs （典型值）
• 自动地址递增 （Auto Address Increment， AAI）
编程
– 与字节编程操作相比，可减少总芯片编程时间
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
– AAI 模式下 SO 引脚上的忙状态读出
• 保持引脚 （HOLD#）
– 在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列
• 写保护 （WP#）
– 使能 / 禁止状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护
– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
• 温度范围
– 商业级：0°C 至 +70°C
– 工业级：-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 8 引脚 SOIC （150 mil）
– 8 触点 WSON （6 mm x 5 mm）
• 所有无铅器件均符合 RoHS 标准
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
- 相关下载
- 相关文章
