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基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行闪存

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:4.31 MB | 2018-05-25

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  特性

  • 单电压读写操作

  – 2.7-3.6V

  • 串行接口架构

  – 兼容 SPI:模式 0 和模式 3

  • 高速时钟频率

  – 高达 80 MHz

  • 超高可靠性

  – 可擦写次数:100,000 次 – 数据保存时间大于 100 年

  • 低功耗:

  – 读操作工作电流:10 mA(典型值)

  – 待机电流:5 µA(典型值)

  • 灵活的擦除功能

  – 均一 4 KB 扇区 – 均一 32 KB 覆盖块 – 均一 64 KB 覆盖块

  • 快速擦除和字节编程:

  – 全片擦除时间:35 ms(典型值)

  – 扇区 / 块擦除时间:18 ms(典型值)

  – 字节编程时间:7 µs(典型值)

  • 自动地址递增(Auto Address Increment,AAI)

  字编程

  – 与字节编程操作相比,可减少总芯片编程时间

  • 写操作结束检测

  – 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位

  – SO 引脚上的忙状态读出

  • 保持引脚(HOLD#)

  – 在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列

  • 写保护(WP#)

  – 使能 / 禁止状态寄存器的锁定功能

  • 软件写保护

  – 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护

  • 温度范围

  – 工业级:-40°C 至 +85°C

  • 可用封装

  – 8 引脚 SOIC(200 mil)

  – 8 触点 WSON(5 X 6 mm)

  • 所有器件均符合 RoHS 标准
基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行闪存

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