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基于SST25VF064C下的64 Mb SPI 串行双 I/O 闪存
djelje
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特性
• 单电压读写操作
– 2.7-3.6V
• 串行接口架构
– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3
• 双输入/输出支持
– 快速读取双输出指令 – 快速读取双 I/O 指令
• 高速时钟频率
– 高速读 （0BH）时为 80 MHz – 快速读取双输出 （3BH）时为 75 MHz – 快速读取双 I/O （BBH）时为 50 MHz – 读取指令 （03H）时为 33 MHz
• 超高可靠性
– 可擦写次数：100，000 次 （典型值）
– 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗
– 读操作工作电流：12 mA （80 MHz 时的典型值），
对于单个位读取
– 读操作工作电流：14 mA （75 MHz 时的典型值），
对于双位读取
– 待机电流：5 µA （典型值）
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
– 均一 32 KB 覆盖块
– 均一 64 KB 覆盖块
• 快速擦除
– 全片擦除时间：35 ms （典型值）
– 扇区/块擦除时间：18 ms （典型值）
• 页编程
– 每页 256 字节
– 单输入和双输入支持
– 1.5 ms （典型值）的快速页编程时间
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
• 写保护 （WP#）
– 使能/禁止状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护
– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
• 安全 ID
– 可一次性编程（One-Time Programmable，OTP）
的 256 位安全 ID
- 出厂前预编程的 64 位惟一标识符
- 192 位用户可编程
• 温度范围
– 商业级：0°C 至 +70°C
– 工业级：-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 16 引脚 SOIC （300 mil）
– 8 触点 WSON （6 mm x 8 mm）
– 8 引脚 SOIC （200 mil）
• 所有器件均符合 RoHS 标准
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