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SGA8343Z高性能SiGe HBT低噪声放大器详细数据手册免费下载
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2018-07-25
刘润生
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RFMD的SGA8343Z是一种高性能硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT），用于从DC到6GHz的操作。SGA8343Z是优化的3V操作，但可以偏置在2V的低电压电池操作系统。该装置以低成本提供高增益、低NF和优异的线性度。它可以在不需要高线性度的应用中以非常低的偏置电流工作。无铅封装上的哑光镀锡利用后退火工艺来减轻锡晶须的形成，并且符合欧盟指令2002/95的RoHS标准。这个包装也是用不含三氧化二锑和卤化阻燃剂的绿色模塑化合物制造的。
应用程序
模拟和数字无线系统
3G、蜂窝、PCS、RFID
固定无线寻呼机系统
低功耗应用的驱动级
振荡器
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