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采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
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2010-06-10
王芳
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采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量电荷泵、调节器、VDC、电压检测器、逻辑块等模拟块和大型控制逻辑电路。因此它面临的最大问题是，如何在一个可接受的时间范围内随着所有打开的内部模拟电路运行全芯片级仿真。本文介绍了一种采用Magma Finesim 的NAND闪存仿真战略，它可通过适当分区和Finesim功能来平衡仿真精度和仿真时间。
NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。
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