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不断发展中的IGBT技术概述
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2010-10-13
影翼
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概述了自IGBT 发明以来其主要结构和相应性能的改进，包括芯片集电结附近（下层）结构的
改进（透明集电区），耐压层附近（中层）结构的改进（NPT，FS/ SPT 等）和近表层（上层）结构的改进
（沟槽栅结构，注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT- IGBT，Tr ench IGBT，Tr enchst op- IGBT，
SPT，SPT+，I EGT，Hi GT，CSTBT 等。
改进（透明集电区），耐压层附近（中层）结构的改进（NPT，FS/ SPT 等）和近表层（上层）结构的改进
（沟槽栅结构，注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT- IGBT，Tr ench IGBT，Tr enchst op- IGBT，
SPT，SPT+，I EGT，Hi GT，CSTBT 等。
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