士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线， 12英寸高端模拟芯片产线同步开工

碳化硅(SiC)功率模块替代IGBT模块的工程技术研究报告

SiC碳化硅MOSFET短路过流两级关断（2LTO）保护成为行业标准的研究报告

打线门极电阻，助力SiC碳化硅模块性能提升

SiC碳化硅模块在商用车电驱动系统中替代进口IGBT模块的技术经济性分析

青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2503

碳化硅器件在新能源汽车中的核心作用

“三个必然”战略论断对国产SiC碳化硅功率半导体行业的业务指引作用与产业演进路径

高压静电除尘电源拓扑架构演进与碳化硅SiC模块应用的技术变革

浅谈安森美碳化硅T2PAK封装的优势

富士IGBT模块2MBI800XNE120-50为什么加速被碳化硅SiC模块所取代？

年终盘点：英飞凌2025年碳化硅领域重磅产品与技术惊艳亮相

基于隔离驱动IC两级关断技术的碳化硅MOSFET伺服驱动器短路保护研究报告

SiC碳化硅功率器件销售团队培训手册：功率半导体、基本半导体产品体系与工业应用实战

存储器缺货潮下的产业新局：力积电成焦点，功率半导体迎联动机遇

功率半导体赋能清洁能源转型 共筑绿色发展新生态

SiC碳化硅功率半导体器件销售团队培训材料：功率半导体拓扑架构

基于碳化硅MOSFET的T-NPC拓扑在光伏与储能PCS中的技术与商业价值分析报告

阳台微储的拓扑架构演进、技术趋势及碳化硅MOSFET在其中的应用

革命性RC缓冲器！破解碳化硅功率模块应用难题