环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
香港科技大学陈敬教授课题组公布氮化镓与碳化硅领域多项最新研究成果
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品
闻泰科技荣获2024行家极光奖年度优秀产品奖
理想汽车自研碳化硅芯片及电驱动总成量产下线
BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述
桥式电路中碳化硅MOSFET替换超结MOSFET技术注意事项
中国成功在太空验证第三代半导体材料功率器件
长飞先进武汉基地总投资逾200亿,预计5月实现量产通线
逆变焊机国产SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块的损耗计算
高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比
5G电源应用碳化硅B3M040065Z替代超结MOSFET
6.6 KW双向OBC碳化硅MOSFET替代超结的仿真计算
纳微半导体氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链
功率半导体的成长之路
英飞凌推出全新400V CoolSiC MOSFET系列
光伏MPPT设计中IGBT、碳化硅SiC器件及其组合方案对比
中国电力电子系统制造商的未来事业发展蓝图
碳化硅MOSFET相对IGBT为什么可以压榨更多应用潜力?
碳化硅(SiC)MOSFET并联应用均流控制技术的综述