三星电子和SK海力士对通用存储芯片增产持谨慎态度

机构：2024年底前HBM将占先进制程比例为35%

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈，HBM产能售罄

SK海力士、三星电子：HBM内存供应充足，明年HBM4将量产

SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

美光LPDDR5内存为汽车高级驾驶辅助系统(ADAS)提供解决方案

SK海力士加速HBM4E内存研发，预计2026年面市

华邦倾力挺进DDR3市场，抓住转单商机

全球芯片供应链重构，美韩DRAM产能将扩增

三星电子组建HBM4团队，旨在缩短开发周期，提升竞争力

兆易创新：预计2024年DRAM业务持续增长

三星电子组建HBM4独立团队，力争夺回HBM市场领导地位

在机遇与挑战并存的AI时代，三星如何在DRAM领域开拓创新？

产能之外，HBM先进封装的竞争

三星电子提前组建DRAM技术开发团队

谈谈DDR5技术规格的那些事

芯金邦获A+轮融资，系拥有自研内存颗粒测试机的模组厂商

AI浪潮拉动DRAM与NAND闪存合约价飙升

HBM供应商议价提前，2025年HBM产能产值或超DRAM 3分

现代DRAM内存发明人罗伯特·登纳德离世