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超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响
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2008-11-14
布衣者
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摘 要： 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法；并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力。尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。
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