在雷达、电子对抗和通信等领域中,电子系统逐步朝着高密度、高速率、高可靠性、高性能和低成本等方向发展。多芯片电路作为混合电路集成技术的代表,可以在三维、多层介质基板中,采用微组装互连工艺将裸芯片及各种元器件设计成满足需求的。在微波多芯片电路技术中,常采用金丝键合技术来实现微带传输线、单片微波集成电路和集总式元器件之间的互连。与数字电路中互连线不同的是,键合金丝的参数特性如数量、长度、拱高、跨距、焊点位置等都会微波传输特性产生严重的影响。尤其是在毫米波等高频段,键合金丝的寄生电感效应尤为明显。因此,分析金丝键合的电磁特性、并有效地设计金丝互连电路,对实现和提高多芯片电路的性能具有十分重要的意义。
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