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微波器件薄膜化的主要技术难点的分析
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微波器件的薄膜化过程中会遇到很多的技术难点，本文以环形器薄膜化过程中遇到的技术难点为例来分析微波器件薄膜化过程中所遇到的共性与个性的技术难点。工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件。它的电子产品都在向的小型化，集成化方向发展，元器件尺寸和重量已成为电子系统设计考虑的主要因素，微波器件薄膜化对电子产品小型化集成化意义重大，随着单片（MMIC）技术和混合微波集成电路（HMIC）技术的发展，薄膜化微波集成电路较好地满足了电子装备在体积和重量方面的需求。薄膜区别于块材的性质主要有以下方面： 1、薄膜材料的厚度很薄，很容易产生尺寸效应 。 2、表面效应很显著。 3、薄膜材料包含大量的表面晶粒间界和缺陷态，影响电子运输。 4、薄膜与基片之间还会存在一定的相互作用，会影响薄膜与基片之间的粘附性以及内应力。环行器是一个多端口的无源器件，它的特性是使输入信号依次环行传输，如图1当输入信号由1端输入时，通过环行器将由2 端输出，不会传至3端。
环形器薄膜化过程中遇到的技术难点是：制备高质量薄膜和减小外加磁场。铁氧体薄膜制备难。薄膜材料容易对环形器引入插入损耗，如何制备高质量的薄膜是当前薄膜化环形器急需解决的难点之一 。常用薄膜制备主要方法有：磁控溅射，液相外延法，脉冲激光沉积（PLD，化学气相沉积法。薄膜质量要求有要厚度均匀，缺陷少，表面粗糙度小，合适的磁性能。
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