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IR2101和IR2102系列高低侧驱动器的数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.13 MB | 2020-07-20

GH33

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　　IR2101（S）/IR2102（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低压侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使加固单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600伏。

　　特征

　　•浮式通道设计用于引导操作，可在+600V下完全运行，耐受负瞬态电压dV/dt免疫闸门驱动电源范围为10至20V

　　•欠压锁定

　　•兼容3.3V、5V和15V逻辑输入

　　•两个信道的匹配传播延迟

　　•输入同相输出（IR2101）或异相输入（IR2102）

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