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SI2300 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.67 MB | 2021-01-27

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　　SI2300采用先进的沟道技术，可提供良好的RDS（ON）、低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

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