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减少开关损耗：儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET
吴湛
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罗姆的 SCT3xxx xR 系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅 MOSFET 器件。该产品系列提供 4 引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统 3 引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达 35%。SiC-MOSFET 特别适合在服务器电源、UPS 系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。儒卓力在电子商务网站 www.rutronik24.com.cn 上提供这些器件。
通过使用 TO-247-4L 封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进 AI 和 IoT 的发展，对于云服务的需求不断增长，数据中心面临着在降低功耗的同时还要提高容量和性能的挑战。
配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动 SiC 器件而优化的栅极驱动器 IC (BM6101FV-C)。多个电源 IC 和分立组件有利于应用评测和开发。由于兼容两种封装类型(TO-247-4L 和 TO-247N)，可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2 级逆变器和同步整流降压电路中的双脉冲测试和组件评测。
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