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XM8A01M08V33A和XM8A51216V33A SRAM存储器芯片的数据手册免费下载
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XRAM是一种新的内存体系结构，旨在以竞争优势提供高密度和高性能的RAM价格XRAM采用先进的DRAM技术和自刷新架构，显著提高了内存密度、性能，同时简化了用户界面。
XM8A51216V33A/xm8a01m08v33axram在功能上相当于异步SRAM，是一个
高性能8Mbits CMOS存储器，由512K字16位和1024K字8位组成，支持异步SRAM存储器接口。
要写入设备，请将芯片启用（CE）和写入启用（WE）输入设为低。如果字节低启用（BLE）为低，则来自I/O引脚（DQ0到DQ7）的数据将写入地址引脚（A0到A18）上指定的位置。如果字节高启用（BHE）为低，则来自I/O引脚（DQ8到DQ15）的数据将写入地址引脚（A0到A18）上指定的位置。读取从设备，采取芯片使能（CE）和输出使能（OE）低，而迫使写入使能（WE）高。如果字节低启用（BLE）为低，则来自地址引脚指定的内存位置的数据显示在DQ0到DQ7上。如果字节高启用（BHE）低，则来自内存的数据显示在DQ8到DQ15上。有关读写模式的完整描述，请参阅第8页的真值表。
当设备被取消选择（CE）、输出被禁用（OE高）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE高）或在写操作期间（CE和WE低）时，输入或输出引脚（DQ0到DQ15）处于高阻抗状态。突发模式引脚（mode）定义突发序列的顺序。当绑定高时，选择交织突发序列。当绑定低时，选择线性突发序列。
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