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怎么测量碳化硅？台阶仪 0.5mg测力解决易损、干涉测量难题
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2025-12-11
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在半导体制造圈，这几年大家谈论最多的莫过于“第三代半导体”——SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）。我们都在谈论宽禁带材料带来的高耐压、高频性能。但对于身处Fab厂一线工艺或从事量测设备的工程师来说，材料属性的变化，往往意味着新的工艺挑战。
怎么测量碳化硅？晶圆应力怎么测？比如，SiC非常硬，莫氏硬度非常高；同时它又是透明的，且往往生长在异质衬底上。传统的测量逻辑在这里经常行不通：
1.看不清：光学测量在透明多层膜结构上容易遇到复杂的干涉问题，数据往往存在噪点。
2.不敢碰：传统的接触式测量如果力度控制不好，很容易划伤昂贵的光刻胶或晶圆表面。
当摩尔定律的战场转移到微观结构的“纵深”和“新材料”上，我们的测量工具在如何升级？结合最近应用的NS系列台阶仪，我想聊聊在亚埃级尺度下，这种被戏称为“微观画师”的设备，是如何解决新材料研发中三个关键难题的。
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