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单晶碳化硅低温湿法刻蚀试验

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.13 MB | 2023-02-20

哈哈哈

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引言 
硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发， 实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行，但在包括成本在内的综合性能方面还留有 课题。因此，与硅不同，没有适当的去除加工损伤的蚀刻技术，担心无法切实去除搭接后的残留损伤。本方法以开发适合于去 除加工损伤的湿蚀刻技术为目的，以往的湿蚀刻是评价结晶缺陷的条件，使用加热到500℃以上的KOH熔体的，温度越高，安 全性存在问题，蚀刻速率高。
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