PVT法碳化硅SIC单晶生长工艺真空压力控制装置的解决方案

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.73 MB | 2023-02-20

刘伟

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摘要：本文针对目前PVT法SiC单晶生长过程中真空压力控制存在的问题，进行了详细的技术分析，提出了相应的解放方案。解决方案的核心方法是采用上游和下游同时控制方式来大幅提高全压力范围内的控制精度和稳定性，关键装置是低漏率和高响应速度的电动针阀、电动球阀和超高精度的工业用PID控制器。通过此解决方案可实现对相应进口产品的替代。

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