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IGBT关断时的电流和电压

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.11 MB | 2023-02-22

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绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到 VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由 于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、 死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT的性能; 导致IGBT因使用不当, 烧毁。今天我们就IGBT关断时的电流和电压进行简单的 叙述。
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