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寄生电感在 IGBT开关损耗测量中的影响

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:640 | 2009-04-08

李娜

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MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响,在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的,比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT 开关损耗测量结果的影响

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