×

IGBT米勒平台产生原因

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.19 MB | 2023-02-22

h1654155143.8331

分享资料个

我们在使用IGBT的时候,可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性,但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压,影响着IGBT的动态性能,这是为什么 呢?
IGBT的等效电路
IGBT可以看做是一个MOSFET和一个BJT组成的达林顿结构,如图所示

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !