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pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:410 KB | 2012-04-23

王兰

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研究了在热载流子注入HCI(hot2carrier injection) 和负偏温NBT (negative bias temperature) 两种偏置条件下pMOS 器件的可靠性. 测量了pMOS 器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI 和NBT 应力下的特性进行了对比.
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lfzhao0404 2012-06-21
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