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BTS7960智能功率芯片中文资料

消耗积分:0 | 格式:doc | 大小:214KB | 2017-05-28

lyh670123246

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BTS7960中文资料

  BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管,二是一个n型通道的低电位场效应晶体管,结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关,需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术,逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器,失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。

BTS7960智能功率芯片中文资料

  智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片,它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic,如图 1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为 16mQ,驱动电流可达 43A。智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片,它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic,如图 1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。

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cbcy 2018-01-27
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