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使用MOSFET栅极驱动器的IGBT驱动器

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.05 MB | 2017-07-04

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)是在需要高电压和开关频率的电流电路中获得相当多的使用。一般来说,这些电路是在电机控制,不间断电源和其他类似的逆变器应用。大部分的IGBT的流行源于其简单的MOSFET的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其IGBT驱动要求。

  IGBT驱动器的要求可分为两个基本的应用类别:那些不适用于高集电极/发射器的IGBT的集电极/发射时,它关闭,和那些做。前者的例子是降压调节器和前向变换器,仅采用一个开关或多个开关同时启动。在大多数桥电路(如逆变器和电机控制器)的关断状态下,当反向设备打开时,高dt / dt被应用。在这种电路中,如果适当的栅极驱动和布局预防措施未被执行,通常会产生相反的结果,通常会产生灾难性的后果。这种行为是由寄生集电极-栅极(密勒)电容引起的,有效地形成具有栅极到发射极电容的电容分压器,从而诱导栅极到发射极电压,如图1所示。

使用MOSFET栅极驱动器的IGBT驱动器

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