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使用MOSFET栅极驱动器的IGBT驱动器
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2017-07-04
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在需要高电压和开关频率的电流电路中获得相当多的使用。一般来说，这些电路是在电机控制，不间断电源和其他类似的逆变器应用。大部分的IGBT的流行源于其简单的MOSFET的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其IGBT驱动要求。
IGBT驱动器的要求可分为两个基本的应用类别：那些不适用于高集电极/发射器的IGBT的集电极/发射时，它关闭，和那些做。前者的例子是降压调节器和前向变换器，仅采用一个开关或多个开关同时启动。在大多数桥电路（如逆变器和电机控制器）的关断状态下，当反向设备打开时，高dt / dt被应用。在这种电路中，如果适当的栅极驱动和布局预防措施未被执行，通常会产生相反的结果，通常会产生灾难性的后果。这种行为是由寄生集电极-栅极（密勒）电容引起的，有效地形成具有栅极到发射极电容的电容分压器，从而诱导栅极到发射极电压，如图1所示。
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