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LED芯片难压焊和反向漏电等常见问题的分析
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LED芯片在使用过程中经常遇到那些问题呢？让我们一起解读下文吧。
1.正向电压降低，暗光
A：一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
B：一种是电极与材料为非欧姆接触，主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印，分布位置。
另外封装过程中也可能造成正向压降低，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。 正向压降低的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而表现暗点，还有一种暗光现象是芯片本身发光效率低，正向压降正常。
2.难压焊：（主要有打不粘，电极脱落，打穿电极）
A：打不粘：主要因为电极表面氧化或有胶
B：有与发光材料接触不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层脱落为主。
C：打穿电极：通常与芯片材料有关，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料（如高红，红外芯片）较GAP材料易打穿电极，
D：压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时间，压力，金球大小，支架定位等进行调整。
3.发光颜色差异：
A：同一张芯片发光颜色有明显差异主要是因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料采用量子结构很薄，生长是很难保证各区域组分一致。（组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长）。
B：GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，但是由于人眼对这个波段颜色敏感，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现颜色偏差概念越小，故在M/T作业中有邻近选取法。
C：GAP红色芯片有的发光颜色是偏橙黄 色，这是由于其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光饱和，发光是开始变为橙黄色。
4.闸流体效应：
A：是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到一定程度，电流产生突变。
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