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THB6128高细分两相混合式步进电机驱动芯片
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2017-12-12
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一、 特性：
● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron＝0.55Ω
● 最高耐压 36VDC，大电流 2.2A（峰值）
● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） ● 自动半流锁定功能 ● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
二、管脚图：
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