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IGBT模块栅极电压米勒平台时延与结温的关系
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2018-03-22
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绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolai Transistor．IGBT）模块是一种由多个IGBT芯片和功率二极管芯片、陶瓷覆铜基板（ direct bonding copper substarte）、散热底板、焊接层、键合引线及功率端子组成的电力电子集成模块，已经广泛应用在新能源发电、轨道交通、航空航天、高压直流输电等众多领域中。IGBT模块运行的可靠性直接关系到电网及机车运行等的稳定安全性能。然而由于IGBT模块在实际应用场合中需要承受反复的高电压大电流，而IGBT模块内部各种材料热膨胀系数不匹配导致的疲劳失效问题越来越突出。反复的功率循环或温度循环会在键合线与芯片表面，焊接层与芯片底面产生反复的热应力，将会导致键合线裂纹扩展甚至剥离，焊接层也会出现裂纹增长及空洞扩展，从而导致IGBT模块导通电阻和结壳热阻增加，甚至会产生过热使得IGBT模块失效。因此对于IGBT模块可靠性监测是非常必要的。
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