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AET3156AP 增强型P沟道增强型MOSFET，替代数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.07 MB | 2025-07-28

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ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准。其工作温度范围为-55℃至125℃

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