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IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS静态RAM详细资料概述

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.19 MB | 2018-07-24

郭馨慧

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　　ISSI IS62WV51216ALU/IS62WV51216BLL是高速、8M位静态RAM，由512K字组成，由16位组成。它是利用ISSI的高性能CMOS技术制作的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，产生高性能和低功耗的设备。

　　当CS1为高（取消选择）或当CS2为低（取消选择）或当CS1为低时，CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，该器件承担待机模式，在该待机模式下，随着CMOS输入电平的降低，功耗可以降低。

　　通过使用芯片使能和输出使能输入提供容易的存储器扩展。主动低写使能（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许高位字节（UB）和Lower Byte（LB）访问。

　　IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准48引脚迷你BGA（7.2mm×87.mm）和44引脚TSOP（II型）中。


 

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