合科泰中低压MOSFET的产品优势和应用案例
UCC27284:高性能N沟道MOSFET驱动芯片的卓越之选
B3M系列碳化硅MOSFET软反向恢复技术特性及其在桥式拓扑中的应用价值研究报告
深耕质量赛道 铸就半导体标杆 —— 深圳争妍微电子获 “全国质量检验稳定合格产品” 认证
芯导科技2025年度大事记回顾
新品 | 采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2
ROHM车载低耐压MOSFET新增HPLF5060封装产品
SiC碳化硅MOSFET短路过流两级关断(2LTO)保护成为行业标准的研究报告
新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件
青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2503
龙腾半导体推出新一代150V G3平台SGT MOSFET产品LSGT15R032
便携式医疗设备设计中关键电路模块的MOSFET选型策略
合科泰解析高压MOSFET的选型逻辑
合科泰MOS管在10-30W反激式LED驱动电源设计中的应用
SiC功率模块在三电平风电变流器应用技术优势的研究报告
碳化硅(SiC) MOSFET功率器件热设计基础与工程实践研究报告
SiC碳化硅MOSFET功率半导体销售培训手册:电源拓扑与解析
快充国产替代新突破!争妍微650V GaN HEMT赋能300W USB-C PD,替代英诺赛科INN650D02
国产替代突破!深圳争妍微工业级、车规级可控硅系列赋能汽车空调升级,替代NXP BTA20
国产替代成趋势!争妍微600V快恢复二极管TO-220变频器专用替代BYV26C赋能变频器产业升级