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DMN2300UFB4 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.14 MB | 2019-10-25

高涛涛

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　　这种MOSFET被设计成最小化导通电阻（RDS（on））并保持优异的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。

　　•负荷开关

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