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N阱CMOS工艺流程的详细资料说明

消耗积分:4 | 格式:ppt | 大小:1.72 MB | 2020-10-01

AIRES大勇

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  CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型(100)衬底上以减小衬底电阻 ,防止闩锁效应。

  CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层,比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层,因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本,但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。

  P型外延场区接受P型的沟道终止注入,而N阱场区接受N型沟道终止注入,这里包含大面积硼注入和选择性磷注入

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