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N阱CMOS工艺流程的详细资料说明
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2020-10-01
AIRES大勇
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CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ，防止闩锁效应。
CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层，比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层，因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本，但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。
P型外延场区接受P型的沟道终止注入，而N阱场区接受N型沟道终止注入，这里包含大面积硼注入和选择性磷注入
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