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TMS320F2803x微控制器的数据手册免费下载
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本技术参考手册（TRM）详细说明了设备中每个外围设备和子系统的集成、环境、功能描述和编程模型。TRM不应被视为数据手册的替代品，而是应与设备特定数据手册一起使用的配套指南，以了解设备编程的细节。TRM的主要目的是从数据手册中提取设备的编程细节。这允许数据手册概述设备的高级功能，而无需有关寄存器描述或编程模型的不必要信息。
闪存通常用于存储应用程序代码。在代码执行过程中，指令是从顺序内存地址获取的，除非出现不连续。通常，驻留在顺序地址中的代码部分构成了应用程序代码的大部分，称为线性代码。为了提高线性码的执行性能，实现了flash流水线模式。默认情况下，将禁用闪存管道功能。在FOPT寄存器中设置ENPIPE位将启用此模式。flash管道模式独立于CPU管道。从闪存或OTP获取的指令每次读取64位。从flash访问的起始地址自动与64位边界对齐，以便指令位置位于要获取的64位之内。启用闪存管道模式（见图1-2）时，从指令提取读取的64位存储在64位宽×2级深指令预提取缓冲区中。然后，这个预取缓冲区的内容被发送到CPU，以便根据需要进行处理。单个64位访问中最多可以驻留两条32位指令或四条16位指令。大多数C28x指令是16位的，因此，对于从闪存库中提取的每64位指令，预提取缓冲区中可能有多达4条指令准备通过CPU进行处理。在处理这些指令的过程中，flash管道会自动启动对flash bank的另一次访问，以预取下一个64位。以这种方式，flash管道模式在后台工作，以使指令预取缓冲区尽可能满。使用这种技术，从flash或OTP顺序代码执行的整体效率得到了显著提高
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