•体积小、包装薄,占地面积小
•高速切换
•小门电荷:QSW=5.0 nC(典型值)
•低漏源导通电阻:RDS(导通)=7.3 mΩ(典型值)
•高正向转移导纳:| Yfs |=60 S(典型值)
•低泄漏电流:IDSS=10μA(最大值)(VDS=30 V)
•增强模式:Vth=1.5至2.5 V(VDS=10 V,ID=1 mA)
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !