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基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:255 | 2009-07-10

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本文以In2O 3 及其混合物为敏感材料, 采用悬浮栅结构和功函数方法, 研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O 3 传感器, 并给出传感器对O 3 响应曲线以及实验结果的理论分析等.
关键词: In2O 3 膜; HSGFET 型; 功函数; O 3 传感器
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