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KR905P WPM1481 FDMA905P交流：780002

消耗积分:0 | 格式:PDF | 大小:3516KB | 2017-03-22

kaicore

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KR905P代替WPM1481，FDMA905P----封装DFN2X2-6L，P沟道。 相关参数： VDS = -12V,VGS=±8，ID = -15A RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-4.5V ； RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-2.5V ； RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-1.8V ； RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1.5V 。

　　he K R905P uses advanced trench technology to provide KR905P 1 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION T excellent RDS（ON）， low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications

　

　　GENERAL FEATURES VDS = -12V，ID = -15A RDS（ON） 《15mΩ @ VGS=-4.5V RDS（ON） 《 20mΩ @ VGS=-2.5V RDS（ON） 《45mΩ @ VGS=-1.8V RDS（ON） 《 80mΩ @ VGS=-1.5V Asvanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package Application PWM applications Load switch battery charge in cellular handset

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