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SST39VF1681/SST39VF1682原文资料数据手册PDF免费下载(CMOS的SuperFlash技术)
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设备的sst39vf168x 2M X8的CMOS多功能闪光加（强积金+）与SST的专有制造，高性能CMOS的SuperFlash®技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器与其他方法相比，具有更好的可靠性和可制造性。的sst39vf168x写（编程或擦除）以2.7 - 3.6V的电源供应。这些设备符合JEDEC标准管脚为x8的回忆。具有高性能的sst39vf168x字节程序，设备提供了一个典型的字节编程时间7µ秒。这些设备使用的切换点或数据#投票表明程序运行完成。为了防止无意写入，他们有片上硬件和软件数据保护方案。设计，制造和广泛的应用测试，这些设备提供保证具有典型的耐力100000个周期。数据保留率超过100年。的sst39vf168x器件适用于需要方便和经济的更新程序，配置应用程序或数据存储器。对于所有系统应用，它们显著地提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。它们在擦除和编程过程中使用的能源比其他闪存技术要少。所消耗的总能量是所施加的电压、电流和应用时间的函数。因为对于任何给定的电压范围，使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短，消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。这些设备还提高了灵活性，同时降低了程序、数据和配置存储应用程序的成本。的SuperFlash技术提供固定的擦写次数，独立的擦除/编程周期已发生。因此，系统软件或硬件不必按照其他闪存技术进行修改或降级，它们的擦除和程序时间随着累积擦除/程序周期的增加而增加。为了满足高密度，表面贴装的要求，sst39vf168x在48球TFBGA和48引脚TSOP封装提供。参见PIN作业的图2和图3。
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