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适用于600V GaN功率级的QFN12x12封装的热性能
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2024-09-21
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德州仪器 (TI) 推出的全新驱动器集成式氮化镓 (GaN) 功率级产品系列，采用低成本、紧凑型四方扁平无引线 (QFN) 封装，具有 12mm x 12mm 的较大封装面积。这种扩大的 QFN 封装不仅具有 GaN 产品一贯有的快速转换 率和高开关频率能力等显著优势，还可通过较大的裸露散热焊盘提高其热性能，从而使功率耗散能力优于其他常 用的表面贴装封装（如广泛用于分立式功率器件的 TO 无引线和 D2PAK）。利用适当的热设计，TI 采用 QFN 12x12 封装的全新 LMG342x GaN 功率级产品可以完全满足高功率 (> 3kW) 转换应用的需要。
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