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汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.59MB | 2024-09-24

李勇

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德州仪器 (TI) 为汽车级 LMG352x 系列 650V 氮化镓 (GaN) 功率级开发了一种新型顶部冷却四方扁平无引线 (tsQFN) 封装。它具有与其底部冷却 QFN 对应器件 (LMG342x) 相同的 12mm x 12mm x 0.9mm 紧凑尺寸。这种新 型 ts-QFN 表面贴装封装在其安装引脚的另一侧有一个裸露的铜质散热焊盘。通过将散热片或冷板直接附贴在封装 顶部,实现了热性能的增强,同时不会出现印刷电路板引起的热障碍。在实现直接驱动和功能集成的同时,TI 的 新型 ts-QFN 12x12 封装与竞争对手为分立式 GaN 器件开发的顶部冷却封装相比,表现出了更低的器件结到系统 冷却平面的热阻。利用顶部冷却配置,可以为车载充电器和直流/直流转换器等汽车应用改善系统热性能和设计灵 活性。

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