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复合绝缘子受潮过程中特征量Kh10理论分析
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2017-12-21
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特征量Kh用于描述复合绝缘子受潮期间的污层状态，研究了其物理意义。针对污层表面局部放电现象，提出了相应的电路模型，并结合试品受潮期间的干区形成过程，进一步探讨了电路模型的正确性。分析认为：Kh的理论值等于污层剩余电阻与总电阻之比，干区电阻越小，污层表面放电越微弱，Kh值越大。Kh值变化与污层表面局部放电相对应，间歇性放电造成Kh值频繁波动，要评价污层受潮状态，需对甄数据进行特殊处理。通过提取周期T内10个最小的Kh值，得到平均值K10，可用于研究染污复合绝缘子的受潮过程。研究发现：试品闪络电压与污秽度、污秽成分、憎水性、受潮程度等多因素有关，特征量Kh，。表征了试品受潮期间的综合表面状态，对于污秽度、污秽成分、憎水性能、受潮方式均不同的染污试品，只要闪络试验前的Khl0值趋同，闪络电压也接近，由此表明特征量Kh10对于复合绝缘子人工污秽试验具有良好的适用性。
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