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SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型

消耗积分:2 | 格式:rar | 大小:30.86 MB | 2018-02-01

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　　相较于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间分段、机理解耦与参数解耦，突出器件开关特性，弱化物理机理，简化瞬态过程分析，建立基于SiC MOSFET与SiC SBD的换流单元瞬态模型。理论计算结果与实验结果对比表明，该模型能够较为精细地体现SiC MOSFET开关瞬态波形且能够较为准确地计算SiC MOSFET开关损耗。该模型参数可全部由数据手册提取，有较强的实用性。

SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型

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