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AN-1535:ADuM4135栅极驱动器性能驱动SiC功率开关

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:738.22KB | 2025-01-15

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在太阳能光伏(PV)和能量存储应用中,随着对提高效率的持续需求,存在增加功率密度的趋势。这个问题的解决方案是碳化硅(SiC)功率器件。SiC器件是宽带隙器件,可以在高于120 V dc的电压下工作,并且往往具有低漏源阻抗(Roson)。有些器件的Rososas低至8 mQ,这些器件也满足了降低传导损耗从而提高效率的需求。SiC器件还可以表现出大于100 kHz的快速开关速度,并且在开关期间具有低寄生电容和相关电荷。

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